何が起きたか
半導体の先端プロセスが微細化を続けるのに伴い、ウエハ洗浄の重要性が高まっている。
先端ロジックのFinFETやGAAトランジスタから、増え続ける関連用途に至るまで、ウェット装置の需要が牽引されている。
盛美半導体はこの傾向に対応し、Ultra C Tahoeマルチプロセスプラットフォームを拡張した。
なぜ重要か
プロセスが先端になるほど、ウエハ表面の汚染管理が歩留まりに与える影響は重要になり、洗浄工程の位置づけもそれに伴って高まる。
装置メーカーが単一のプラットフォームで複数のプロセスをカバーできれば、先端ロジックノードにおけるウエハ工場の統合ニーズにより近づける可能性がある。
盛美半導体が同プラットフォームを拡張したことは、ウェット装置が先端プロセスの進化に合わせて同時にアップグレードしていることを示している。
主な事実
先端プロセスが微細化を続け、ウエハ洗浄の重要性が高まっている。
先端ロジックはFinFETとGAAトランジスタに関わる。
盛美半導体はUltra C Tahoeマルチプロセスプラットフォームを拡張した。
次に注目すべき点
今後は、Ultra C Tahoeプラットフォームが具体的にどの洗浄プロセスやプロセスノードをカバーするかに注目できる。
先端ロジックがFinFETからGAAへと移行する過程で、ウェット装置の仕様と需要がどのように変化するか。
